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【2h】

Heteroepitaxy of \(La_2O_3\) and \(La_{2-x}Y_xO_3\) on GaAs (111)A by Atomic Layer Deposition: Achieving Low Interface Trap Density

机译：通过原子层沉积在Gaas（111）a上的（La_2O_3 \）和\（La_ {2-x} Y_xO_3 \）的异质外延：实现低界面陷阱密度

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Nano Letters; Xinwei Wang; Lin Dong; Jingyun Zhang; Yiqun Liu; Peide D. Ye; Roy G;
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年度 2016
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